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VAP系列 晶圆级等离子活化系统
应用:晶圆级封装前表面预处理、晶圆级键合前表面活化、光刻胶涂覆前表面活化、晶圆表面较小particle去除、表面有机残留去除等。

特点:可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、超洁净反应腔室,有效控制各种污染物、整机空间环境污染物控制、射频等离子发生器或双频等离子发生器、晶圆表面损伤小,可用于带图形晶圆的表面活化、等离子体密度高、均匀性好。
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编号 内容 规格参数
1 整机结构 带load port系统分为前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元,前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计
2 等离子体源 射频等离子体源或双频等离子体源
3 反应腔室 标准设计为双反应腔室,可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室结构
4 机械传片 单臂或双臂高精度机械手
5 Wafer升降 机械式Wafer pin升降结构,Wafer pin采用特定工艺处理
6 前真空泵 干式真空泵,根据安装位置及工艺不同,选择100-300m3/h规格
7 高真空真空泵 分子泵(水冷或CDA冷却)
8 工艺压力控制 自动调压蝶阀
9 真空检测 管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计、压差开关
10 工艺气体种类 标准配置高纯Ar、N2、O2,可增加其他高纯工艺气体
设备主要应用:晶圆级封装前表面预处理、晶圆级键合前表面活化、光刻胶涂覆前表面活化、晶圆表面较小particle去除、表面有机残留去除等。
设备主要特点:可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、超洁净反应腔室,有效控制各种污染物、整机空间环境污染物控制、射频等离子发生器或双频等离子发生器、晶圆表面损伤小,可用于带图形晶圆的表面活化、等离子体密度高、均匀性好。
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