金沙棋牌游戏官方下载-新葡萄京官网8814-首页

VDP-B系列 等离子去胶系统
应用:硅基半导体及化合物半导体的光阻灰化、高剂量离子注入后光刻胶去除、金属表面去胶、Wafer表面的残胶去除、Wafer表面残留污染物去除、晶圆级封装的前处理工艺等。
在线咨询
编号 内容 规格参数
1 整机结构 前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元,前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计
2 等离子体源 射频式电感耦合等离子体源或双频等离子体源
3 反应腔室 射频式电感耦合等离子体源或双频等离子体源
4 机械传片 单臂或双臂高精度机械手
5 Wafer升降 机械式Wafer pin升降结构,Wafer pin采用特定工艺处理
6 真空泵 干式真空泵,根据安装位置及工艺不同,选择100-600m3/h规格。如工艺需求,可增加分子泵。
7 工艺压力控制 自动调压蝶阀
8 真空检测 管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计
9 工艺气体种类 标准配置Ar、N2、O2,可增加CF4及其他工艺气体
10 气体流量控制 质量流量控制器(MFC)
设备主要应用:硅基半导体及化合物半导体的光阻灰化、高剂量离子注入后光刻胶去除、金属表面去胶、Wafer表面的残胶去除、Wafer表面残留污染物去除、晶圆级封装的前处理工艺等。 设备主要特点:可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、独特的等离子处理空间设计、等离子体密度高、去胶速率快、均匀性好、使用成本低、定制程度高、本系列设备的设计遵从中国国家安全标准及SEMI相关安全标准要求。
  • 微信客服

  • 在线客服

  • 电话咨询

  • 短信咨询

  • 微信扫码咨询

    金沙棋牌游戏官方下载|新葡萄京官网8814

    XML 地图 | Sitemap 地图